图解绝缘栅型场效应管


更新时间:2019-07-18

  在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

  (1)VGS=0时,不管VDS极性如何,其中总有一个PN结反偏,所以不存在导电沟道。

  (2)VGS0时,在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场,排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通,形成导电沟道。

  (4)VGS0且VDS增大到一定值后,靠近漏极的沟道被夹断,形成夹断区。

  (2)P沟道增强型:VGS=0时,ID=0开启电压小于零,所以只有当VGS0时管子才能工作。

  (3)P沟道耗尽型:制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子,所以即使在VGS=0时,由于负离子的作用,两个P区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。

  在转移特性曲线上,gm是曲线在某点上的斜率,也可由iD的表达式求导得出,单位为S或mS。王中王493333免提网站